ในงานวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาแบบจำลองเอ็มบีอีแบบเอสโอเอส (SOS-MBE) ซึ่งใช้สำหรับศึกษาการเตรียมฟิล์มซึ่งแผ่นรองรับและสารที่นำมาเตรียมฟิล์มเป็นสารชนิดเดียวกัน ซึ่งภายในแบบจำลองนี้อะตอมจะถูกปล่อยลงมายังแผ่นรองรับแบบสุ่มตำแหน่งโดยอะตอมที่อยู่ที่ผิวสามารถเคลื่อนที่ได้ตลอดเวลาจนกว่าจะถูกทับโดยอะตอมอื่น ทำการศึกษาโดยการเปลี่ยนค่าอุณหภูมิของแผ่นรองรับ และสังเกตลักษณะของพื้นผิวและค่าอินเตอร์เฟสวิดท์ พบว่าเมื่ออุณหภูมิของแผ่นรองรับมีค่าต่ำ ค่าอินเตอร์เฟสวิดท์จะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว และเมื่ออุณหภูมิของแผ่นรองรับมีค่าสูงขึ้น ลักษณะพื้นผิวของฟิล์มจะมีความขรุขระลดลงและจะกลายเป็นการเตรียมฟิล์มเป็นชั้นๆ เมื่ออุณหภูมิของแผ่นรองรับมีค่าสูงมากๆ หลังจากนั้นได้ทำการปรับปรุงแบบจำลองเอ็มบีอีเพื่อใช้ในการศึกษาการเตรียมฟิล์มซึ่งแผ่นรองรับและสารที่นำมาเตรียมฟิล์มเป็นสารต่างชนิดกัน โดยเพิ่มผลของความเครียดเนื่องจากค่าคงที่โครงผลึกของแผ่นรองรับและฟิล์มบางไม่เท่ากัน และเรียกว่าแบบจำลอง Lattice Mismatch พบว่าผลของความเครียดทำให้เกิด mound บนพื้นผิวของฟิล์มเมื่อความแรงของความเครียดถึงค่าวิกฤต สำหรับการศึกษานี้ค่าวิกฤตของความเครียดอยู่ระหว่าง 0.8 eV และ 1.2 eV. และค่าความหนาวิกฤตที่ทำให้เกิด mound อยู่ระหว่างชั้นที่ 1 และ 2 และยังพบอีกว่า รัศมีเฉลี่ของ mound ขึ้นอยู่กับความหนาของฟิล์มและอุณหภูมิของแผ่นรองรับโดยรัศมีเฉลี่ยของ mound จะเพิ่มขึ้นเมื่อความหนามีค่าเพิ่มขึ้นและจะเพิ่มแบบเอกซ์โพเนนเชียล เมื่ออุณหภูมิเพิ่มสูงขึ้น โดยการเพิ่มความแรงของความเครียดไม่ผลต่อการขยายตัวของรัศมีเฉลี่ยของ mound