ฟิล์มบาง ZnO(Al) ชนิดสองขั้นเตรียมขึ้นบนวัสดุรองรับกระจกโซดาไลม์พื้นที่5x6 ตารางเซนติเมตร กรณีที่ 1 เตรียมโดยการสปัตเตอร์เป้า Zn และเป้าZoO(Al(,2)O(,3) 2.5wt%) พร้อมกัน ตามด้วยการสปัตเตอร์เป้า ZnO(Al(,2)O(,3)2.5wt%)โดยวิธีอาร์เอฟแมกนิตรอนสปัตเตอริง (Zn-added-ZnO)(Al)/ZnO(Al)) และกรณีที่ 2เตรียมโดยการสปัตเตอร์เป้า ZnO(Al(,2)O(,3) 2.5wt%) โดยวิธีอาร์เอฟแมกนิตรอนสปัตเตอริงตามด้วยการสปัตเตอร์เป้า Zn และเป้า ZnO(Al(,2)O(,3)2.5wt%) พร้อมกัน(ZnO(Al)/Zn-added-ZnO(Al)) และเลือกสภาวะของฟิล์ม ZnO(Al) ชนิดสองชั้นที่มีสมบัติทางไฟฟ้า สมบัติเชิงแสง และโครงสร้างผลึกที่เหมาะสมสำหรับการเตรียมฟิล์ม ZnO(Al)แบบตามลำดับ ความหนาของฟิล์ม Zn-added-ZnO(Al) เปลี่ยนแปลงจาก 0 เปอร์เซ็นต์ถึง100 เปอร์เซ็นต์เป็นช่วง ช่วงละ 20 เปอร์เซ็นต์โดยความหนาของฟิล์ม ZnO(Al) แบบตามลำดับทั้งหมดคงที่ 3000 อังสตรอม สมบัติทางไฟฟ้า สมบัติเชิงแสง และโครงสร้างของฟิล์ม ZnO(Al) แบบตามลำดับศึกษาโดยการวัดปรากฏการณ์ฮอลล์ การส่งผ่านแสง และการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ ตามลำดับ พบว่าฟิล์ม ZnO(Al) ชนิด 9 ชั้น สภาพต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดมีค่า 5.60x10('-4) โอห์ม-เซนติเมตร การส่งผ่านแสงสูงสุดซึ่งสูงกว่า90% ในช่วงความยาวคลื่น 400-1000 นาโนเมตรและรูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ของฟิล์มที่ได้แสดงแกน c ของผลึกเมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุกลุ่มซิงค์ออกไซด์