ได้พัฒนาวิธีการเตรียมฟิล์มบาง CdS บนแผ่นรองรับกระจก โดยวิธีอาบสาร เคมี ฟิล์มเตรียมได้ที่อุณหภูมิ 65, 75, และ 80 องศาเซลเซียส มีผิวเรียบ ค่าความต้านทานแผ่นประมาณ 10 ('11) (...) และช่องว่างแถบพลังงานมีค่าประมาณ 2.47-2.60 eV การส่งผ่านแสงประมาณ 80 % สำหรับพลังงานโฟตอนน้อยกว่าช่องว่างแถบพลังงาน และความต้านทานแผ่นฟิล์มสามารถทำได้โดยการโดปด้วยคลอรีนในสารละลายของ HgCl('2) 0.01 molar โดยการจุ่มฟิล์มลงในสารละลายเป็นเวลา 10 นาที ตามด้วยการแอนนีลฟิล์มในบรรยากาศของกาวในโตรเจนหรืออากาศที่อุณหภูมิ 200 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 20 นาที ความต้านทานแผ่นฟิล์มลดลงมาอยู่ในช่วง 10('5)-10('6)(...) ขณะที่ช่องว่างแถบพลังงานมีค่าลดลงประมาณ 2.36-2.57 eV เมื่ออุณหภูมิการแอนนีลสูงขึ้น การเตรียมฟิล์มบาง CdS โดยวิธีการนี้ได้ถูกใช้ในการเตรียมชั้น CdS ของเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบางของเซลล์ ZnO(Al)/CdS/CulnSe('2)/MO ได้ประสิทธิภาพ 2.5 % ซึ่งวัดภายใต้ความเข้มแสง 844 W/m('2) ที่ห้องปฏิบัติการวิจัยฟิสิกส์สารกึ่งตัวภาควิชาฟิสิกส์ (SPRL)