ได้ออกแบบและสร้างระบบวัดปรากฏการ์ฮอลล์ที่ควบคุมการวัดด้วยคอมพิวเตอร์เพื่อใช้ในการวัดสภาพต้านทานไฟฟ้า, สภาพเคลื่อนที่ได้ และความหนาแน่นพาหะอิสระของสารกึ่งตัวนำ ระบบวัดนี้สามารถรองรับการวัดสารตัวอย่างที่มีสภาพต้านทานไฟฟ้าในช่วงกว้าง (10('-3) (...)/sqr ถึง10('7) (...)/sqr) และพร้อมด้วยระบบห้องวัดอุณหภูมิต่ำทำให้การวัดทำได้ที่อุณหภูมิตั้งแต่อุณหภูมิห้องไปจนถึง 80 K เพื่อให้ได้ผลการวัดที่มีความถูกต้องมากที่สุดจึงได้ปรับปรุงวิธีที่ใช้ในการประดิษฐ์ขั้วไฟฟ้าแบบโอห์มมิกให้กับสารตัวอย่างที่จะนำมาวัด โดยการสร้างเตาแอนนีลสำหรับแอนนีลขั้วไฟฟ้าในบรรยากาศของไฮโดรเจนระบบวัดที่สร้างขึ้นได้ใช้ในการศึกษาสมบัติไฟฟ้าของสารตัวอย่าง InSb และ GaAs ที่สภาวะอุณหภูมิต่ำจนถึง 80 Kพบว่าสมบัติไฟฟ้าของ InSb มีการแปรตามอุณหภูมิอย่างเห็นได้ชัด และสามารถคำนวณค่าช่องว่างแถบพลังงานจากข้อมูลที่วัดได้เท่ากับ 0.245 eV และจากการศึกษาฟิล์มบางของ CuInSe(,2) ที่อุณหภูมิห้องด้วยระบบวัดที่สร้างขึ้นข้อมูลจากการวัดทำให้ทราบว่าฟิล์มบางที่นำมาวัดมีเนื้อฟิล์มที่ไม่สม่ำเสมอและสามารถใช้ในการวิเคราะห์ลักษณะการกระจายของเนื้อฟิล์มได้