| ชื่อเรื่อง | : | การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์-อินเดียมไดซีลีไนด์ |
| นักวิจัย | : | ชาญวิทย์ จิตยุทธการ |
| คำค้น | : | CUINSE(,2) , THIN FILMS , EVAPORATION , RESISTIVITY |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2537 |
| อ้างอิง | : | http://www.thaithesis.org/detail.php?id=1082537000946 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | ฟิล์มบาง CuInSe(,2) บนกระจกได้เตรียมขึ้นโดย 2 วิธีการที่คล้ายคลึงกัน วิธีแรกเป็นการระเหย CuInSe(,2) ภายใต้สุญญากาศแบบไม่ปรับอุณหภูมิของแผ่นรองรับ ตามด้วยการแอนนีลภายใต้บรรยากาศของซีลีเนียมในภาชนะสแตนเลสทั้งแบบมีกาซอาร์กอนและไม่มี ที่อุณหภูมิต่าง ๆ วิธีที่สองเป็นการระเหย CuInSe(,2) และซีลีเนียมภายใต้สุญญากาศแบบมีการปรับอุณหภูมิของแผ่นรองรับที่อุณหภูมิต่าง ๆ กัน จากผลการตรวจสอบโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางด้วยวิธีการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ พบว่ามีโครงสร้างผลึกแบบชาลโคไพไรห์ โดยฟิล์มบางที่เตรียมได้จากวิธีแรกมีการลอกของเนื้อฟิล์มส่วนวิธีที่สองได้ฟิล์มบางที่มีผิวเรียบและมีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงมากกว่า 10('5) cm('-1) ขนาดของช่องว่างแถบพลังงานมีค่าประมาณ 1.01 eV.ฟิล์มบาง CuInSe(,2) สามารถเตรียมให้มีชนิดการนำไฟฟ้าเป็นแบบเอ็นหรือแบบพี ได้จากวิธีที่สองด้วยการปรับอุณหภูมิของแผ่นรองรับที่อุณหภูมิต่าง ๆ และอัตราการเคลือบของซีลีเนียม |
| บรรณานุกรม | : |
ชาญวิทย์ จิตยุทธการ . (2537). การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์-อินเดียมไดซีลีไนด์.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. ชาญวิทย์ จิตยุทธการ . 2537. "การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์-อินเดียมไดซีลีไนด์".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. ชาญวิทย์ จิตยุทธการ . "การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์-อินเดียมไดซีลีไนด์."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย, 2537. Print. ชาญวิทย์ จิตยุทธการ . การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์-อินเดียมไดซีลีไนด์. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย; 2537.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
