งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อสร้างเครื่องกัดซิลิกอนด้วยไมโครเวฟพลาสมาภายใต้ความดันสุญญากาศ โดยดัดแปลงเตาไมโครเวฟในเชิงพาณิชย์เป็นแหล่งของคลื่นไมโครเวฟเพื่อสร้างพลาสมา และทดลองหาเงื่อนไขของกระบวนการกัดซิลิกอนจากคาร์บอนเตตระฟลูออไรด์พลาสมาที่ให้อัตราการกัดซิลิกอนสูงที่สุด ทดลองโดยใช้กำลังไมโครเวฟในช่วง 360 1,200 W อัตราการไหลของก๊าซในชง 30 90 mL/min แรงดันไฟฟ้าจ่ายไปที่ฐานรองชิ้นงานในช่วง -100 V ถึง -300 V เวลาที่ใช้ในการกัด 150 s 300 s จากการทดลองพบว่าเงื่อนไขที่ให้อัตราการกัดสูงที่สุดที่ 95.51 nm/s คือเงื่อนไขการกัดโดยใช้ CF4 plasma ที่อัตราการไหลของก๊าซ 30 mL/min จ่ายกำลังไมโครเวฟที่ 360 W จ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ฐานรองชิ้นงานที่ -100 V ทำการกัดเป็นเวลา 156 s ได้ความลึกที่ 14.90 ?m ทุกเงื่อนไขของการกัดพบว่าการกัดเป็นแบบทุกทิศทาง (isotropic dry etching) และเป็นกระบวนการที่สะอาดโดยไม่พบสารประกอบใหม่ (Re-depositionfree) เกาะที่ผนังของร่องที่ถูกกัดของชิ้นงานซิลิกอน คำสำคัญ: คาร์บอนเตตระฟลูออไรด์, กระบวนการกัด, ไมโครเวฟพลาสมา, ซิลิกอน