งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อพัฒนาเครื่องเคลือบฟิล์มบางคาร์บอนบนซิลิกอนด้วยไมโครเวฟพลาสมาภายใต้ความดันต่ำระบบใช้เตาไมโครเวฟในเชิงพาณิชย์เป็นแหล่งของคลื่นไมโครเวฟเพื่อสร้างพลาสมา ห้องสุญญากาศทำจากแก้วบอโรซิลิเกตถูกลดความดันถึง 2?10-1 ปาสคาล ฟิล์มบางคาร์บอนถูกเคลือบบนผิวของซิลิกอนโดยอะเซทิลีนพลาสมาที่อัตราการไหลของก๊าซ 30 มิลลิลิตรต่อนาที ที่ความดันของห้องสุญญากาศ -70 เซนติเมตรปรอทอ่านค่าความดันโดยใช้เกจวัดความดันแบบเข็ม ใช้กำลังไมโครเวฟที่ 1,200 วัตต์เป็นเวลา 150 วินาที วิเคราะห์โดย รามานแสดงยอดคลื่น D-peak ที่ตำแหน่ง 1,336.20 cm-1และมียอดคลื่น G-peak ที่ตำแหน่ง 1,611.87 cm-1 วิเคราะห์ธาตุเชิงพลังงานบ่งชี้ว่าฟิล์มที่ปลูกได้ประกอบด้วยธาตุคาร์บอน ลักษณะทางสัณฐานวิทยาของฟิล์มที่ได้เป็นกลุ่มก้อนของอนุภาคระดับนาโนเมตร ขนาดประมาณ 100 นาโนเมตร ตรวจสอบโดยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดและวัดความหนาของฟิล์มด้วยกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอมได้ค่าเฉลี่ยเท่ากับ 200 นาโนเมตร มีความขรุขระที่ผิว 0.43 นาโนเมตร คำสำคัญ: อะเซทิลีน, ฟิล์มบางคาร์บอน, ไมโครเวฟพลาสมา, ซิลิกอน