| ชื่อเรื่อง | : | 4500 V planar implanted anode p-i-n junction rectifiers in 4H-SiC |
| นักวิจัย | : | นุจรินทร์ รามัญกุล |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | - |
| อ้างอิง | : | - |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
นุจรินทร์ รามัญกุล . (). 4500 V planar implanted anode p-i-n junction rectifiers in 4H-SiC.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. นุจรินทร์ รามัญกุล . . "4500 V planar implanted anode p-i-n junction rectifiers in 4H-SiC".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. นุจรินทร์ รามัญกุล . "4500 V planar implanted anode p-i-n junction rectifiers in 4H-SiC."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, . Print. นุจรินทร์ รามัญกุล . 4500 V planar implanted anode p-i-n junction rectifiers in 4H-SiC. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; .
|
