| ชื่อเรื่อง | : | Phosphorus-implanted high-voltage n+p 4H-SiC junction rectifiers |
| นักวิจัย | : | นุจรินทร์ รามัญกุล |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | - |
| อ้างอิง | : | - |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
นุจรินทร์ รามัญกุล . (). Phosphorus-implanted high-voltage n+p 4H-SiC junction rectifiers.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. นุจรินทร์ รามัญกุล . . "Phosphorus-implanted high-voltage n+p 4H-SiC junction rectifiers".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. นุจรินทร์ รามัญกุล . "Phosphorus-implanted high-voltage n+p 4H-SiC junction rectifiers."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, . Print. นุจรินทร์ รามัญกุล . Phosphorus-implanted high-voltage n+p 4H-SiC junction rectifiers. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; .
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
