จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
| # | นักวิจัย | ร่วมงาน |
|---|---|---|
| 1 | Zheng, K. | 2 |
| 2 | Zhao, J. L. | 2 |
| 3 | Ranjan, K. | 1 |
| 4 | Ng, G. I. | 1 |
| 5 | Rajan, S. | 1 |
| 6 | Arulkumaran, S. | 1 |
| 7 | Shoron, O. F. | 1 |
| 8 | Lim, Yong Ching | 1 |
| 9 | Tripathy, S. | 1 |
| 10 | Bin Dolmanan, S. | 1 |
| 11 | Yeo, E. G. | 1 |
| 12 | Manoj Kumar, C. M. | 1 |
| 13 | Sun, X. W. | 1 |
| 14 | Sun, Xiaowei | 1 |
| 15 | Saramäki, Tapio | 1 |
| 16 | Yu, Ya Jun | 1 |
| 17 | Vinh, V. Q. | 1 |
| 18 | Leck, Kheng Swee | 1 |
| 19 | Law, L. T. | 1 |
| 20 | Yeo, Y. G. | 1 |
| 21 | Zhao, R. | 1 |
| 22 | Leck, K. S. | 1 |
ปี
| # | พ.ศ. | จำนวน |
|---|---|---|
| 1 | 2558 | 1 |
| 2 | 2557 | 1 |
| 3 | 2555 | 1 |
| 4 | 2550 | 1 |
ผลงานวิจัย
| # | หัวเรื่อง |
|---|---|
| ปี พ.ศ. 2558 | |
| 1 | Electron velocity of 6 × 107 cm/s at 300 K in stress engineered InAlN/GaN nano-channel high-electron-mobility transistors |
| ปี พ.ศ. 2557 | |
| 2 | A ZnTaOx based resistive switching random access memory |
| ปี พ.ศ. 2555 | |
| 3 | Resistive switching in a GaOx-NiOx p-n heterojunction |
| ปี พ.ศ. 2550 | |
| 4 | FRM-based FIR filters with optimum finite word-length performance |
