| ชื่อเรื่อง | : | Resistive switching in a GaOx-NiOx p-n heterojunction |
| นักวิจัย | : | Zheng, K. , Zhao, J. L. , Sun, Xiaowei , Vinh, V. Q. , Leck, Kheng Swee , Zhao, R. , Yeo, Y. G. , Law, L. T. , Teo, K. L. |
| คำค้น | : | DRNTU::Science::Physics. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Zheng, K., Zhao, J. L., Sun, X., Vinh, V. Q., Leck, K. S., Zhao, R., et al. (2012). Resistive switching in a GaOx-NiOx p-n heterojunction. Applied physics letters, 101(14), 143110-. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/9137 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4757761 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | We report a unidirectional bipolar resistive switching in an n-type GaOx/p-type NiOx heterojunction fabricated by magnetron sputtering at room temperature. The resistive switching behavior coincides with the switching between Ohmic conduction (low resistance) and rectifying behavior (high resistance) of the heterojunction diode. Under external electric field, electromigrated intrinsic defects, such as oxygen vacancies and oxygen ions, accumulate at the pn junction interface and modify the interface barrier, forming or rupturing the filamentary paths between n-GaOx and p-NiOx, leading to the switching between Ohmic and diode characteristics of the device. The device shows good endurance, retention performance, and scaling capability, signaling the potential of a diode-structured resistive switching device for non-volatile memory applications. |
| บรรณานุกรม | : |
Zheng, K. , Zhao, J. L. , Sun, Xiaowei , Vinh, V. Q. , Leck, Kheng Swee , Zhao, R. , Yeo, Y. G. , Law, L. T. , Teo, K. L. . (2555). Resistive switching in a GaOx-NiOx p-n heterojunction.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zheng, K. , Zhao, J. L. , Sun, Xiaowei , Vinh, V. Q. , Leck, Kheng Swee , Zhao, R. , Yeo, Y. G. , Law, L. T. , Teo, K. L. . 2555. "Resistive switching in a GaOx-NiOx p-n heterojunction".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zheng, K. , Zhao, J. L. , Sun, Xiaowei , Vinh, V. Q. , Leck, Kheng Swee , Zhao, R. , Yeo, Y. G. , Law, L. T. , Teo, K. L. . "Resistive switching in a GaOx-NiOx p-n heterojunction."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Zheng, K. , Zhao, J. L. , Sun, Xiaowei , Vinh, V. Q. , Leck, Kheng Swee , Zhao, R. , Yeo, Y. G. , Law, L. T. , Teo, K. L. . Resistive switching in a GaOx-NiOx p-n heterojunction. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
