งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาผลของควอนตัมดอตชนิดอินเดียมอาร์เซไนด์ (InAs QDs)ที่มีต่อความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) อินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตถูกฝังเข้าไปในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุลลักษณะและขนาดทางกายภาพของควอนตัมดอตถูกวัดโดยวิธี TEM และ AFM ในขณะที่การวัดความคล่องตัวของอิเล็กตรอนและความเข้มข้นของอิเล็กตรอนกระทำโดยวิธี van der Puaw ผลการวัดความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้น GaAs ขี้ให้เห็นว่าเมื่อจำนวนชั้นของ InAs QDsเพิ่มขึ้น ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนลดลงในขณะที่ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น สาเหตุที่ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนลดลงเกิดจากการกระเจิงอิเล็กตรอนโดย InAs QDs ซึ่งเปรียบเสมือนเสี้ยวทรงกลมที่นำไฟฟ้าได้ดี และสาเหตุที่ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้นเกิดจากการเพิ่มขึ้นของปริมาตรรวมจากการฝังชั้น InAs QDs เข้าไปในชั้นของ GaAs และเนื่องจาก InAs นั้นมีอิเล็กตรอนอิสระมากกว่า GaAs ที่อุณหภูมิเดียวกัน