| ชื่อเรื่อง | : | ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน |
| นักวิจัย | : | ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล |
| คำค้น | : | ฟิล์มบาง , อิเล็กตรอน |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2547 |
| อ้างอิง | : | http://dric.nrct.go.th/Search/SearchDetail/160015 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล . (2547). ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน.
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,. ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล . 2547. "ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน".
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,. ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล . "ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน."
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,, 2547. Print. ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล . ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,; 2547.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
