ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Ng, T. K.
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 Yoon, Soon Fatt 6
2 Fan, Weijun 6
3 Wang, S. Z. 6
4 Loke, Wan Khai 6
5 Ng, S. T. 1
6 Wee, A. 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2547 1
2 2546 1
3 2545 4
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2547
1 The role of nitrogen-nitrogen pairs in the deviation of the GaAsN lattice parameter from Vegard’s law
ปี พ.ศ. 2546
2 Photoluminescence quenching mechanisms in GaInNAs/GaAs quantum well grown by solid source molecular beam epitaxy
ปี พ.ศ. 2545
3 Comparison of nitrogen compositions in the as-grown GaN[sub x]As[sub 1−x] on GaAs measured by high-resolution x-ray diffraction and secondary-ion mass spectroscopy
4 Photoluminescence characteristics of GaInNAs quantum wells annealed at high temperature
5 Improved GaN[sub x]As[sub 1−x] quality grown by molecular beam epitaxy with dispersive nitrogen source
6 Effect of In and N incorporation on the properties of lattice-matched GaInNAs/GaAs grown by radio frequency plasma-assisted solid-source molecular beam epitaxy