ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Hasanov, Namig
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 Tan, Swee Tiam 11
2 Ji, Yun 11
3 Zhang, Zi-Hui 11
4 Kyaw, Zabu 10
5 Demir, Hilmi Volkan 10
6 Ju, Zhengang 8
7 Zhang, Yiping 6
8 Sun, Xiao Wei 6
9 Zhu, Binbin 6
10 Zhang, Xueliang 5
11 Sun, Xiaowei 4
12 Zhang, Xue Liang 2
13 Zheng, Ke 2
14 Wang, Liancheng 1
15 Wei, Sun Xiao 1
16 Teng, Jing Hua 1
17 Volkan Demir, Hilmi 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2557 7
2 2556 4
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2557
1 On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
2 On the origin of the electron blocking effect by an n-type AlGaN electron blocking layer
3 Improving hole injection efficiency by manipulating the hole transport mechanism through p-type electron blocking layer engineering
4 On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
5 Simultaneous enhancement of electron overflow reduction and hole injection promotion by tailoring the last quantum barrier in InGaN/GaN light-emitting diodes
6 A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes
7 Low thermal-mass LEDs : size effect and limits
ปี พ.ศ. 2556
8 Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
9 InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction
10 Enhanced hole transport in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with a p-type doped quantum barrier
11 Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata