ได้มีการปลูกฟิล์มบางอะมอร์ฟัสซิลิคอนอัลลอย 3 ชนิดซึ่งได้แก่ อะมอร์ฟัสซิลิคอน (a-Si:H) อะมอร์ฟัสซิลิคอนไนไตรด์ (a-SiN:H) และอะมอร์ฟัสซิลิคอนคาร์ไบด์ (a-SiC:H)ด้วยวิธีการแยกสลายก๊าซด้วยประจุเรืองแสง (glow dischargeplasma CVD) และนำฟิล์มเหล่านี้ไปศึกษาคุณสมบัติพื้นฐานทางแสง และทางอิเล็กทรอนิกส์ การศึกษาคุณสมบัติทางแสงได้ใช้เทคนิคของคราเมอร์ส-ครอนิกเพื่อวดัสเปกตรัมค่าคงที่ทางแสงซึ่งได้แก่ สัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสง สัมประสิทธิ์การสะท้อนแสง ดัชนีหักเหแสง สัมประสิทธิ์การลดทอน ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก ผลการวิจัยพบว่าค่าคงที่ทางแสงต่าง ๆ เหล่านี้สามารถเปลี่ยนแปลงค่าได้ในวงกว้างโดยการเปลี่ยนแปลงเงื่อนไขในการปลูกฟิล์ม เช่นในกรณีของฟิล์ม a-SiC:H ถ้าเพิ่มอัตราส่วนของก๊าซ C(,2)H(,4)/SiH(,4) จะทำให้ดัชนีหักเหแสงมีค่าลดลง นอกจากนี้ยังพบอีกว่าค่าพลังงานโฟตอนของยอดสเปกตรัมค่าคงที่ไดอิเล็กทริกของฟิล์มเหล่านี้มีค่ามากขึ้นเมื่อชองว่างพลังงานของฟิล์มมีค่าเพิ่มขึ้น ข้อมูลนี้สะท้อนให้ทราบว่าการเรียงตัวของอะตอมในฟิล์มมีความเป็นระเบียบในระยะสั้น (short range order) การศึกษาคุณสมบัติทางอิเล็กทรอกนิกส์ได้ใช้เทคนิคCPM (Constant Photocurrent Mehtod) เพื่อวัดลักษณะการกระจายของโลคอลไลซด์สเตท (localed states) ในช่องว่างพลังงานของฟิล์ม a-Si:H โดยสามารถวัดในรูปของสเปกตรัมสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงในช่วงพลังงานโฟตอน 0.8-1.3 eVผลการศึกษาพบว่าเงื่อนไขการปลูกฟิล์ม a-Si:H ที่อุณหภูมิ200 องศาเซลเซียส จะทำให้มีโลคอลไลซด์สเตทจำนวนน้อยกว่าที่อุณหภูมิ 300 องศาเซลเซียส ข้อมูลต่าง ๆ ที่ได้จากการศึกษาคุณสมบัติพื้นฐานต่าง ๆข้างต้นได้ถูกนำไปใช้ประโยชน์เพื่อประกอบในการออกแบบและประดิษฐ์สิ่งประดิษฐ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ 3 ชนิดซึ่งได้แก่ไดโอดเปล่งแสงชนิดฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์ หรือโฟโตไดโอดชนิดฟิล์มบาง และวงจรรวมออปโตอิเล็กทรอนิกส์ชนิดฟิล์มบางอะมอร์ฟัส การปรับปรุงความสว่างของไดโอดเปล่งแสงได้เน้นที่การหาค่าความหนาที่เหมาะสมของชั้นพี ซึ่งพบว่าความหนาที่เหมาะสมของชั้นพีมีค่าประมาณ 300 - 500 (...) ในงานวิจัยนี้ได้ประสบความสำเร็จเป็นครั้งแรกในการประดิษฐ์ดิสเพลย์แบบบางจากไดโอดเปล่งแสงชนิดฟิล์มบางที่มีโครงสร้างแบบเมตริกซ์อย่างละเอียดได้เป็นครั้งแรก ขนาดของพิกเซลที่เล็กที่สุดที่ทดลองประดิษฐ์คือ 0.2 mm x 0.2 mm ดิสเพลย์สามารถเปล่งแสงที่มีความสว่างสม่ำเสมอได้ดีพอสมควร ได้ประสบความสำเร็จในการพัฒนาวงจรรวมออปโตอิเล็กทรอกนิกส์ชนิดฟิล์มบางอะมอร์ฟัสได้เป็นครั้งแรก วงจรรวมดังกล่าวประกอบด้วยสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างจากวัสดุอะมอร์ฟัสทั้งหมดคือ ภาคเปล่งแสงสร้างจากไดโอดเปล่งแสงฟิล์มบางชนิดอะมอร์ฟัส ภาครับแสงสร้างจากโฟโตไดโอดชนิดอะมอร์ฟัส และทางนำแสงสร้างจากวัสดุแก้ว (glass) วงจรรวมนี้ประดิษฐ์ลงบนแผ่นฐานชนิดแก้วในลักษณะโมโนลิธิก (monolithic) มีประโยชน์ในการถ่ายทอดสัญญาณแสงและไฟฟ้า เช่นใช้งานเป็นออปติคัลคัปเปลอร์ ออปติคัลไอโซเลเตอร์ ฯลฯ