ได้มีการคิดค้นการออกแบบและประดิษฐ์ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางชนิดวัสดุอะมอร์ฟัสสารกึ่งตัวนำ ได้สำเร็จเป็นครั้งแรกสิ่งประดิษฐ์มีโครงสร้างเป็นรอยต่อ p- i-n ของฟิล์มบางอะมอร์ฟัสซิลิคอนอัลลอยชนิดที่มีช่องว่างพลังงานกว้างซึ่งได้แก่ อะมอร์ฟัสซิลิคอนไนไตรด์ (a-SiN:H) อะมอร์ฟัสซิลิคอนคาร์ไบด์ (a-SiC:H) และอะมอร์ฟัสซิลิคอนออกไซด์ (a-SiO:H) ฟิล์มบางเหล่านี้เตรียมด้วยวิธี glowdischarge plasma CVD ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางนี้สามารถเปล่งแสงสีต่างๆ ที่ตามองเห็นได้ตั้งแต่สีแดง สีส้ม สีเหลือง สีเขียว ไปจนถึงสีน้ำเงินขาว สีของ การเปล่งแสงกำหนดจากขนาดของช่องว่างพลังงานของชั้น i ในวิทยานิพนธ์ฟิล์ม a-SiN:H, a-SiC:H และ a-SiO:H ถูกนำไปศึกษาคุณสมบัติพื้นฐานต่าง ๆ อย่างละเอียดและอย่างเป็นระบบทั้งคุณสมบัติทางโครงสร้าง (IR,ESR) คุณสมบัติทางแสง (การดูดกลืนแสง, ช่องว่างพลังงาน, การเปล่งแสง โฟโตลูมิเนสเซนซ์) และคุณสมบัติทางไฟฟ้า (สภาพนำไฟฟ้า) ผลบการวิจัยพบว่าระดับพลังงานชนิด localized states ในช่องว่างพลังงานมีอิทธิพลมากต่อคุณสมบัติ พื้นฐานของฟิล์มข้อมูลที่ได้ในการศึกษาคุณสมบัติพื้นฐานของฟิล์มเหล่านี้มีประโยชน์มาก ในการนำไปใช้ออกแบบ และประดิษฐ์ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบาง ตลอดจนใช้ใน การวิเคราะห์ลักษณะสมบัติต่าง ๆ ของไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบาง ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางที่พัฒนาขึ้นสำเร็จในงานวิทยานิพนธ์นี้มี โครงสร้างพื้นฐานประกอบด้วยแผ่นกระจก/ฟิล์มโปร่งแสงที่นำไฟฟ้าได้ (ITO)/ฟิล์มอะมอร์ฟัสซิลิคอนอัลลอยชั้น p-i-n/ฟิล์มขั้วไฟฟ้า A1 ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์ม บางนี้เปล่งแสงได้ด้วยหลักการของการฉีดกระแสไฟฟ้า กล่าวคือ ฉีดโฮลจากชั้น p และอิเล็กตรอนจากชั้น n ให้เข้าไปรวมตัวกันในชั้น i ซึ่งเป็นชั้นเปล่งแสง แรงดัน ไฟฟ้าที่ใช้ไบแอสเพื่อฉีดกระแสไฟฟ้ามีค่าประมาณ 5-15 โวลต์ ความสว่างสูงสุด ของแสงที่เปล่งมีค่าอยู่ในช่วง 0.1-1 cf/m('2) โดยใช้กระแสไฟฟ้าประมาณ 100-1000 mA/cm('2) นอกจากนี้ได้มีการศึกษาหาความหนาที่เหมาะสมของชั้น i ทั้งทางทฤษฎีและการทดลอง พบว่าความหนาที่เหมาะสมของชั้น i มีค่าประมาณ 500 A ในวิทยานิพนธ์ได้มีการเปรียบเทียบคุณสมบัติการเปล่งแสงของไดโอดเปล่ง แสงแบบฟิล์มบางที่ชั้น i ผลิตจากวัสดุอะมอร์ฟัสหลายชนิด ผลการวิจัยพบว่า ไดโอด เปล่งแสงแบบฟิล์มบางที่ชั้น i ผลิตจาก a-SiC:H จะเปล่งแสงได้สว่างสูงที่สุด และ ความสว่างรองลงมาได้แก่ a-SiN:H และ a-SiO:H ตามลำดับ ได้มีความพยายามในการปรับปรุงความสว่างของไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์ม บางหลายวิธีได้แก่ 1) การปรับปรุงประสิทธิภาพของการรวมตัวแบบเปล่งแสงของ พาหะ โดยการใช้แผ่นโลหะซึ่งมีคุณสมบัตินำความร้อนได้ดีและสะท้อนแสงได้ดีเป็น แผ่นฐานแทนแผ่นกระจก และ 2) ได้มีการปรับปรุงประสิทธิภาพของการฉีดพาหะ (โฮล) โดยการใช้ฟิล์มอะมอร์ฟัสซิลิคอนออกไซด์ (a-SiO:H) และไมโครคริสตัล ไลน์ซิลิคอนออกไซด์ (Uc-SiO:H) ชนิด p ซึ่งมีคุณสมบัตินำไฟฟ้าได้ดีและมีช่องว่างพลังงานกว้างเป็นชั้นฉีดโฮลแทน a-SiC:H ชนิด p ทำให้ความสว่างของ ไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางสูงขึ้นถึงระดับ 10 cd/m('2) ในด้านการพัฒนาเป็นดิสเพลย์ ได้ประสบความสำเร็จในการประดิษฐ์ไดโอด เปล่งแสงแบบฟิล์มบางให้เปล่งแสงเป็นรูปร่างลักษณะต่าง ๆ อีกทั้งผลิตให้มีโครงสร้างเป็นเมตริกซ์และมีพื้นที่กว้างใหญ่ขนาดร้อยตารางเซนติเมตรได้สำเร็จ ในวิทยานิพนธ์นี้ยังได้ประสบความสำเร็จในการประดิษฐ์โฟโตคัปเปลอร์ ชนิดอะมอร์ฟัสสารกึ่งตัวนำเป็นครั้งแรก คือมีไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางเป็นภาคเปล่งแสงและมีเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดอะมอร์ฟัสซิลิคอนเป็นภาครับแสง ข้อดีเด่นของไดโอดเปล่งแสงแบบฟิล์มบางชนิดอะมอร์ฟัสสารกึ่งตัวนำนี้ ได้ แก่ 1) ต้นทุนการผลิตต่ำเพราะใช้วัสดุราคาถูกและผลิตด้วยวิธี CVD ที่อุณหภูมิเพียง 190 C 2) ผลิตเป็นฟิล์มบางพื้นใหญ่ ๆ ได้ง่าย ทำให้ได้ดิสเพลย์ขนาดใหญ่ 3) ผลิตบนแผ่นฐานวัสดุชนิดต่าง ๆ ได้เช่น แผ่นกระจก แผ่นโลหะ แผ่นพลาสติก แผ่น เซรามิก ทำให้ได้ดิสเพลย์รูปร่างและการใช้งานหลากหลายเป็นต้น