ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Tran, Xuan Anh
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
และรู้จักในชื่อของ
- Tran, Xuan Anh.
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 Yu, Hongyu 11
2 Fang, Z. 5
3 Sun, Xiaowei 4
4 Wei, J. 4
5 Wang, Zhongrui 3
6 Zhu, W. G. 3
7 Wang, Z. R. 3
8 Zhu, H. L. 2
9 Zhang, J. F. 2
10 Gao, Bin 2
11 Yeo, Y. C. 2
12 Nguyen, B. Y. 2
13 Chen, Bing 1
14 Kang, Jinfeng 1
15 Zhang, Feifei 1
16 Su, Haibin 1
17 Fang, Zheng 1
18 Ma, Long 1
19 Liu, Lifeng 1
20 Tjoa, Verawati 1
21 Zhu, Wei 1
22 Wang, Jinghao 1
23 Kang, J. F. 1
24 Ng, Geok Ing 1
25 Zhang, K. L. 1
26 Du, A. Y. 1
27 Huang, Peng 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2556 2
2 2555 10
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2556
1 A self-rectifying unipolar HfOx based RRAM using doped germanium bottom electrode
2 Transition metal oxide based resistive RAM for high density non-vilatile memory.
ปี พ.ศ. 2555
3 Transport properties of HfO2−x based resistive-switching memories
4 Mechanism of different switching directions in graphene oxide based RRAM
5 A self-rectifying A1Oy bipolar RRAM with sub-50μA set/reset current for cross-bar architecture
6 A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode
7 Positive bias-induced Vth instability in graphene field effect transistors
8 Characteristics of a single-layer graphene field effect transistor with UV/ozone treatment
9 Highly uniform, self-compliance, and forming-free ALD HfO2-based RRAM with Ge doping
10 A novel self-selection bipolar RRAM cell with ultra-low operation currents for cross-point application
11 A self-rectifying and forming-free HfOx based-high performance unipolar RRAM
12 Vth shift in single-layer graphene field-effect transistors and its correlation with Raman inspection