Friction modification of WC-Co by ion implantation

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Friction modification of WC-Co by ion implantation

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	Friction modification of WC-Co by ion implantation
นักวิจัย	:	ยู เหลียงเติ้ง
คำค้น	:	-
หน่วยงาน	:	ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2544
อ้างอิง	:	-
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	-
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	This study focuses on the effects of ion implantation on the friction modification of WC-Co cermet. Samples were implanted with Ar, C, N, O and B ions at 120–140 keV, and underwent tribological tests, mainly within the elastic region, against the cermet itself using varied loads. The experimental results show that the C ion implantation most significantly reduces the friction coefficient, and that the effect increases with the ion dose, whereas N, O and B ion implantations increase microhardness. A modified friction model suggests that the contributors to the friction modification are attributed to the compromise between microhardness and toughness, depending on the microstructure or phase and the ion-implantation-induced surface compression stress, which depends on the ion size.
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver ยู เหลียงเติ้ง . (2544). Friction modification of WC-Co by ion implantation. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. ยู เหลียงเติ้ง . 2544. "Friction modification of WC-Co by ion implantation". กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. ยู เหลียงเติ้ง . "Friction modification of WC-Co by ion implantation." กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2544. Print. ยู เหลียงเติ้ง . Friction modification of WC-Co by ion implantation. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2544.