ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Activation energy of the growth of ion-beam-synthesized nano-crystalline 3C-SiC

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Activation energy of the growth of ion-beam-synthesized nano-crystalline 3C-SiC
นักวิจัย : ยู เหลียงเติ้ง
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :



In this experiment, carbon ions at 40keV were implanted into (100) high-purity p-type silicon wafers at 400°C to a fluence of 6.5×1017ions/cm2. Subsequent thermal annealing of the implanted samples was performed in a vacuum furnace at 800–1000°C. Glancing incidence X-ray diffraction (GIXRD) was used to characterize the crystalline quality and estimate the grain size of nano-crystalline 3C–SiC. Activation energy for the growth of 3C–SiC was evaluated following the annealing behaviour of the GIXRD-characteristic 3C–SiC (111) peaks. It was found that the 3C–SiC was directly formed during ion implantation at this substrate temperature and the activation energy of the process was about 0.05eV. Such a low energy was explained in terms of ion beam induced precipitate formation.



บรรณานุกรม :
ยู เหลียงเติ้ง . (2552). Activation energy of the growth of ion-beam-synthesized nano-crystalline 3C-SiC.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
ยู เหลียงเติ้ง . 2552. "Activation energy of the growth of ion-beam-synthesized nano-crystalline 3C-SiC".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
ยู เหลียงเติ้ง . "Activation energy of the growth of ion-beam-synthesized nano-crystalline 3C-SiC."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2552. Print.
ยู เหลียงเติ้ง . Activation energy of the growth of ion-beam-synthesized nano-crystalline 3C-SiC. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2552.