ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Growth of epitaxial GaN films by pulsed laser deposition

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

Bookmark
ชื่อเรื่อง : Growth of epitaxial GaN films by pulsed laser deposition
นักวิจัย : สุภาพ ชูพันธ์
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2540
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :



High crystalline quality epitaxialGaNfilms with thicknesses 0.5–1.5 μm have been successfully grown directly on Al2O3(0001)Al2O3(0001) substrate by pulsed laser deposition(PLD). For filmsgrown at 950 °C, we obtained an x-ray diffraction rocking curve linewidth of 7 arc min. The ion channeling minimum yield in the near-surface region (∼2000 Å)(∼2000 Å) for a 0.5 μm thick film was ∼3%–4%∼3%–4% indicating a high degree of crystallinity. The optical absorption edge measured by UV-visible spectroscopy was sharp, and the band gap was found to be 3.4 eV. The crystalline properties of these PLDGaNfilms are comparable to those grown by metalorganic chemical vapor deposition and molecular beam epitaxy.
บรรณานุกรม :
สุภาพ ชูพันธ์ . (2540). Growth of epitaxial GaN films by pulsed laser deposition.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
สุภาพ ชูพันธ์ . 2540. "Growth of epitaxial GaN films by pulsed laser deposition".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
สุภาพ ชูพันธ์ . "Growth of epitaxial GaN films by pulsed laser deposition."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2540. Print.
สุภาพ ชูพันธ์ . Growth of epitaxial GaN films by pulsed laser deposition. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2540.
แชร์

« กลับ

ค้นหา

งานวิจัยเพิ่มเติม (เจ้าของผลงาน)

จำนวนผู้ดูรายละเอียด