ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Study of electrical transport across interfaces between wide gap semiconductor and metal oxides

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Study of electrical transport across interfaces between wide gap semiconductor and metal oxides
นักวิจัย : สุภาพ ชูพันธ์
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2540
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :



We have grown YBa2Cu3O7 (YBCO) and Pr1.85Ce0.15CuO4 (PCCO) polycrystalline films on n-type GaN using pulsed laser deposition. The diodes fabricated out of these heterostructures exhibited a strong rectifying behavior with transport characteristics that were found to fit well to the thermionic emission model. The effective barrier heights for YBCO and PCCO based diodes were found to be 788 meV and 236 meV, respectively. Rutherford Backscattering structural analysis of the heterostructures is also discussed.


บรรณานุกรม :
สุภาพ ชูพันธ์ . (2540). Study of electrical transport across interfaces between wide gap semiconductor and metal oxides.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
สุภาพ ชูพันธ์ . 2540. "Study of electrical transport across interfaces between wide gap semiconductor and metal oxides".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
สุภาพ ชูพันธ์ . "Study of electrical transport across interfaces between wide gap semiconductor and metal oxides."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2540. Print.
สุภาพ ชูพันธ์ . Study of electrical transport across interfaces between wide gap semiconductor and metal oxides. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2540.