PLD epitaxial TiN contacts to 6H-SiC and GaN

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

PLD epitaxial TiN contacts to 6H-SiC and GaN

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	PLD epitaxial TiN contacts to 6H-SiC and GaN
นักวิจัย	:	สุภาพ ชูพันธ์
คำค้น	:	-
หน่วยงาน	:	ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2540
อ้างอิง	:	-
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	-
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	We have investigated the influence of TiN growth temperature on the contact resistance in TiN/SiC and TiN/GaN heterostructures. Epitaxial TiN layers grown at temperatures above 600°C formed low resistance contacts to n-type 6H-SiC and GaN of 1.1× 10−3 Ωcm2 and 7.9 ×10−5 Ωcm2, respectively. Structural and electrical characterization of TiN thin films is discussed.
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver สุภาพ ชูพันธ์ . (2540). PLD epitaxial TiN contacts to 6H-SiC and GaN. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. สุภาพ ชูพันธ์ . 2540. "PLD epitaxial TiN contacts to 6H-SiC and GaN". กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. สุภาพ ชูพันธ์ . "PLD epitaxial TiN contacts to 6H-SiC and GaN." กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2540. Print. สุภาพ ชูพันธ์ . PLD epitaxial TiN contacts to 6H-SiC and GaN. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2540.