Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices
นักวิจัย	:	สุภาพ ชูพันธ์
คำค้น	:	-
หน่วยงาน	:	ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2541
อ้างอิง	:	-
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	-
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	ZnOthin films have been grown heteroepitaxially on epi-GaN/sapphire (0001) substrates. Rutherford backscattering spectroscopy, ion channeling, and high resolution transmission electron microscopy studies revealed high-quality epitaxialgrowth of ZnO on GaN with an atomically sharp interface. The x-ray diffraction and ion channeling measurements indicate near perfect alignment of the ZnO epilayers on GaN as compared to those grown directly on sapphire (0001). Low-temperature cathodoluminescence studies also indicate high optical quality of these films presumably due to the close lattice match and stacking order between ZnO and GaN. Lattice-matched epitaxy and good luminescence properties of ZnO/GaN heterostructures are thus promising for ultraviolet lasers. These heterostructures demonstrate the feasibility of integrating hybrid ZnO/GaN optoelectronic devices.
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver สุภาพ ชูพันธ์ . (2541). Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. สุภาพ ชูพันธ์ . 2541. "Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices". กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. สุภาพ ชูพันธ์ . "Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices." กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2541. Print. สุภาพ ชูพันธ์ . Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2541.