ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Leakage currents in high-quality pulsed-laser deposited aluminum nitride on 6H silicon carbide from 25 to 450?C

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

Bookmark
ชื่อเรื่อง : Leakage currents in high-quality pulsed-laser deposited aluminum nitride on 6H silicon carbide from 25 to 450?C
นักวิจัย : สุภาพ ชูพันธ์
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2542
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :



The high-temperature dielectric properties of thin-film AlN that were pulsed-laser deposited on a heavily dopedn-type 6H–SiC substrate are investigated from 25 to 450 °C. Capacitor leakage current densities of low 10−8 A/cm210−8 A/cm2 at 25 °C and mid 10−3 A/cm210−3 A/cm2 at 450 °C are reported for a 1.7 MV/cm dielectric field. The primary high-temperature leakage mechanism appears to be Schottky emission with a zero-field barrier height of 1.76 eV. A dielectric strength in excess of 1.7 MV/cm at 450 °C is reported.
บรรณานุกรม :
สุภาพ ชูพันธ์ . (2542). Leakage currents in high-quality pulsed-laser deposited aluminum nitride on 6H silicon carbide from 25 to 450?C.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
สุภาพ ชูพันธ์ . 2542. "Leakage currents in high-quality pulsed-laser deposited aluminum nitride on 6H silicon carbide from 25 to 450?C".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
สุภาพ ชูพันธ์ . "Leakage currents in high-quality pulsed-laser deposited aluminum nitride on 6H silicon carbide from 25 to 450?C."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2542. Print.
สุภาพ ชูพันธ์ . Leakage currents in high-quality pulsed-laser deposited aluminum nitride on 6H silicon carbide from 25 to 450?C. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2542.
แชร์

« กลับ

ค้นหา

งานวิจัยเพิ่มเติม (เจ้าของผลงาน)

จำนวนผู้ดูรายละเอียด