ได้ืำทำการเตรียมวัสดุผงออกไซด์กลุ่ม CaCu3 Ti4O12 โดยวิธีการเตรียมแบบปฏิกิริยาของแข็งและวิธีโพเมอร์เชิงซ้อน และทำการศึกษาลักษณะของผงโดยเทคนิค TGA/DTA, XRD, FT-IR, SEM และ TEM วัสดุผงที่เตรียมได้จะถูกนำมาอัดขึ้นรูปและเผาผนึกเพื่อศึกษาพฤติกรรมการเผาผนึก และวัสดุที่ผ่านการเผาผนึกแล้ว ได้ศึกษาโครงสร้างทางจุลภาคและสมบัติทางไดอิเล็กตริก วัสดุเซรามิก CCTO-SSR มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกมีค่่าสูงมาก โดยมีค่าประมาณ 10[superscript 4] ในขณะที่ค่าคงที่ไดอิเล็กตริกของวัสดุเซรามิก CCTO-PC ทุกตัวอย่างมีค่าสูงมาก โดยมีค่าประมาณ 1x10[superscript4] ถึง 5 x 10[superscript4] (ความถี่ในช่วง 100 kHz - 1 MHz) สำหรับพฤติกรรมทางไดอิเล็กตริกของวัสดุเซรามิก CCTO-SSR และ CCTO-PC สามารถอธิบายโดยใช้แบบจำลอง Grain boundary layer capacitor (GBLC)

CaCu3Ti4O12 powders were prepared by two main methods: solid-state reaction method and polymerized complex method. The synthesized powders were then characterized by TGA/DTA, XRD, FT-IR, SEM and TEM. The powdere were uniaxially pressed to form the compacted body and sintering of the compacts was performed to study the sintering behaviour of the materials. The microstructure and dielectric properties of the sintered materials were studied. The CCTO-SSR samples exhibited giant dielectric constannt of ~10[superscript 4] whereas The CCTO-PC showed even higher dielectric constant in the range of 1 x10[superscript 4]-5x10[superscript 4] (at 100 kHZ - 1 MHz). Dielectric behavior of both CCTO-SSR and CCTO-PC samples can be explained by Grain boundary layer capacitor (GBLC) model.