งานวิจัยนี้เป็น โครงการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยใช้วิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศความดันต่ำกว่า 10-6 mber เพื่อนำไปสู่การประดิษฐ์อุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ ระบบระเหยสารประกอบด้วยลำอิเล็กตรอนเป็นแบบ rotation head 4 pocket crucibles ซึ่งสามารถควบคุมอัตราการระเหยสารและวัดความหนาของฟิล์มบางอัตโนมัติในขณะที่มีการควบคุมอุณหภูมิแผ่นรองรับ และอัตราการหมุนอย่างคงที่ สารกึ่งตัวนำที่เตรียมขึ้นในเงื่อนไขต่างๆ โดยวิธีนี้ เป็นสารกลุ่ม II-VI ในตารางธาตุ คือ Se, ZnSe, CdSe ขณะที่สารที่ใช้ทำขั้วไฟฟ้าแบบ Schottky คือ InSnO2 (ITO), ChSnO2 (CTO) และ Au สมบัติของโครงสร้างผลึก จะตรวจสอบโดยวิธี X-ray diffraction และ Scanning electron microscopy (SEM) ขณะที่สมบัติทางแสง จะศึกษาโดยวิธี Transmittance spectroscopy (TA), Photoreflectance spectroscopy (PR), Electroreflectance spectroscopy (ER), Absorption current spectroscopy (ACS) ตามลำดับ ผลจากการพัฒนาสารกึ่งตัวนำโดยวิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศ จะทำการทดลองประดิษฐ์อุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ คือ โฟโตดีเทกเตอร์ ที่มีโครงสร้าง Metal-Semiconductor Metal (MSM) และออปติคัล แอนด์ เกต (Optical AND tate) ตามลำดับ

This research is the semiconductor development project for optoelectronic devices using high vacuum electron beam evapotator. The evap9oration systems include rotatin-head electron beam, four-pockte crucibles, automatic evaporation rate control system, automatic film thickness monitor system , and substrate temperature control system. Various semiconductor samples prepared under different conditions are II-VI group such as Se, ZnSe, and CdSe. Materials such as InSnO2 (ITO),CdSnO2(CTO) and Au are used as Schottky contacts. Crystals structrue of the sample is analyzed using X-ray diffraction and Scanning electron microscopy (SEM). Meanwhile, optical properties of teh samples are characterized employing following methods, Transmission spectroscopy (TA), Photoreflectance spectroscopy (PR), Electroreflectance spectroscopy (ER),and Absorption cerrent spectroscopy (ACS). Results form this development will be appropriately selected in order to make the optoelectronic devices such as Metal-Semiconductor-Metal (MSM) photodetector andoptical AND gate.