งานวิจัยนี้เป็นการสร้างต้นแบบของระบบวัด photoreflectance spectroscopy สำหรับศึกษาโครงสร้างแถบพลังงาน (energy band structure) ของสารกึ่งตัวนำ ระบบนี้จะติดตั้งบนโต๊ะแสงโดยมีองค์ประกอบดังแสดงในแผนผัง แสงเลเซอร์จาก HE-NE ที่ความยาวคลื่น 632.8 นาโนเมตร ใช้ในการโมดูเลต โดยส่องผ่านตัวตัดแสงไปยังแผ่นฟิล์มสารกึ่งตัวนำที่ต้องการษึกษาโครงสร้างแถบพลังงาน ทำการแยกแสงจากหลอดไฟทังสเตน 100 วัตต์ออกเป็นแสงที่มีความยาวคลื่นค่าต่างๆ โดย monochromator แล้วผ่านไปตกกระทบแผ่นฟิล์มสารกึ่งตัวนำ แล้ววัดแสงที่สะท้อนกลับด้วยตัวตรวจวัดซึ่งต่อเข้ากับเครื่องขยายสัญญาณแบบ Look-in สัญญาณที่วัดได้มี 2 ส่วน คือ สัญญาณ a.c. ที่มีความสัมพันธ์กับการเปลี่ยนแปลงค่า reflectivity (dR) และสัญญาณ d.c. ที่มีความสัมพันธ์กับค่า reflectivity (R) ไมโครคอมพิวเตอร์ในระบบนี้ใช้ทำการเก็บข้อมูล และหาค่าสเปกตรัมของ dR/R กับค่าพลังงานโฟตอนของแสงที่ตกกระทบแผ่นฟิล์ม

The objective of this research is toconstruct the prototype of photoreflectance(PR) spectroscopy measurement system for studying the energy band structure of cemiconductor materials. The system is set up on an optical table and modulation light is provided by a 2 m W He-Ne laser.The choped laser light is irradiatied onto the thin film sample. Light from a 100 W tungsten lamp passed throuth a 20 cm monochromator.acts s a probe light. Threflected probe light from the sample is detected for each wavelength from 400 nm to 1000 nm. The detected signal has two parts: The ac part measered by the lock-in amplifier synchronize to the modulation frequency is related to the change in reflectivity. dR, while its dc part is related to the reflectivity, R. Using a computer for data acquisition and processing, a spectrum of dR/R versus photon energy can be obtained.