การฟอร์มชั้นฉนวนในวัสดุโดยการเคลือบฝังออกซิเจนบนซิลิกอน (SIMOX) เป็นเทคโนโลยีใหม่ที่มีศักยภาพสูงในวงจรรวมขนาดใหญ่มากที่ทนต่อแรงดดันพังทลายสูง และมีความทนต่อรังสี เครื่องอิมพลานเทอร์ที่สามารถใช้งานได้ในเชิงพาณิชย์ จึงต้องที่สามารถจ่ายกระแสไออนอ็อกซิเจนความเข้มสูงในเรื่อน 100 mA และความจำเป็นต้องติดตั้งหัวจ่ายไอออนแบบ large volume เช่น หัวจ่ายไออ่อนแบบ RF driven multicusp ที่สามารถจ่ายกระแสไออนได้สูงกว่า 1 A/ตารางเซ็นติเมตร ซึ่งได้รับการพัฒนาเพื่อใช้งานสร้างชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำในห้วงเวลาไม่กี่ปีที่ผ่านมานี้เอง โครงการวิจัและพัฒนาโครงการนี้ เป็นการศึกษาและพัฒนาหัวจ่ายไอออนอ็อกซิเจนกระแสสูงสำหรับเทคโนโลยี SIMOX

The formation of a buried insulating layer by oxygen ion implantation (SIMOX) into silicon has potential applications to CMOS LSI, high voltage breakdown and radiation - hardened devices. To be economical, a high current ion implanter which could produce beam of 100 mA O+ is required. A high volumn source such as a RF driven multicusp which is capable of producing ions with current density higher than 1 A/c.m.xc.m. has been developed recently for application in semiconductor device fabrication. This proposal deals with the research and development of high current;oxygen ion source for SIMOX technology.