เครื่องไอออนอิมพลานเตอร์ชนิดไม่แยกมวลได้รับการติดตั้งเพื่อใช้ศึกษาและ พัฒนาเทคโนโลยีปรับปรุงผิวโลหะโดยใช้ไอออนไนโตรเจน การติดตั้งระบบเริ่มจากภายในแหล่งกำเนิดไออนแบบดูโอพลาสมาตรอนซึ่งไอออนถูก ผลิตโดยวิธีดิสชาร์จคาโถดร้อนและถูกดึงและโฟกัสด้วยสนามไฟฟ้าระบบไอเซ็น เลนส์จากนั้นถูกเร่งให้มีพลังงานสูงสุด150 กิโลอิเล็กตรอนโวลต์โดยท่อเร่งแบบมัลติไดโนดผ่านแม่เหล็กไฟฟ้าแบบสี่ขั้วที่ มีค่าสนามที่ผิวสูงสุด 2.4 กิโลเกาส์ เพื่อควบคุมลักษณะลำไอออนผ่านไปยังห้องเป้าที่มีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 28 เซนติเมตร ยาว 34 เซนติเมตร ภายในห้องเป้ามีตัวจับชิ้นงานพื้นที่ 110 ตารางเซนติเมตรที่สามารถหมุนและเคลื่อนส่ายในแนวนอนเพื่อให้ไอออนกระจาย อย่างสม่ำเสมอซึ่งควบคุมโดยระบบคอมพิวเตอร์ จากการตรวจสอบระบบพบว่ากระแสสูงสุดซึ่งวัดโดยฟาราเดย์คัพมีค่าประมาณ 2 มิลลิแอมแปร์ โดยที่ความหนาแน่นกระแสมีค่าประมาณ 0.6 มิลลิแอมแปร์ต่อตารางเซนติเมตร การฝังไอออนไนโตรเจนพลังงาน 120 กิโลอิเล็กตรอนโวลต์ลงบนผิวเหล็กเครื่องมือกล SKD11 จะเพิ่มค่าความแข็ง 50 เปอร์เซ็นต์และลดความสึกหรอเมื่อขัดสีโดยลูกบอลทังสเตนคาร์ไบด์ได้ 75 เปอร์เซ็นต์ นอกจากนี้ทดลองฝังไอออนไนโตรเจนบนดอกกัดเกลียวเบอร์ M3x0.5 ช่วยเพิ่มอายุการใช้งานกว่า 2 เท่า A non-mass analyzed nitrogen ion implanter has been installed studying new technique to improve the surface of materials. The implanter employs a duoplasmatron ion source. The ion beam is generated by a hot cathode discharge, extracted, focused by an einzel lens system and then accelerated by a multidynode acceleration tube to an energy up to 150 keV. A quadrupole doublet, with a maximum field strength at the pole tip of 2.4 kG, used to control beam size at the target. A multi-axis target holder with 110 cm2 area was installed in a chamber of 28 cm diameter and 34 cm long with 2 computer controlled motors controlling the horizontal position and stage rotation. The maximum nitrogen ion current, measured by Faraday cup, is 2 mA and a current density is 0.6 mA/cm2. A 120 keV nitrogen ion implantation on SKD11 increases the surface hardness by 5% and reduced wear rate when tested by a WC ball by 75%. The lifetime of a M3x0.5 tap is improve by a factor of 2 after nitrogen implantation.