ขั้วไฟฟ้าชนิดโปร่งใสเป็นส่วนประกอบสำคัญส่วนหนึ่งของ DSSC ทำหน้าที่รับและส่งประจุไปยังอุปกรณ์ที่ใช้กำลังไฟฟ้า สมบัติของขั้วไฟฟ้าที่ดีต้องมีความต้านทานต่ำและไม่ทำปฏิกริยากับสารเคมีที่ใช้ นอกจากนี้ขั้วไฟฟ้าของ DSSC ยังต้องยอมให้แสงผ่านได้ดีด้วย เพื่อรับแสงอาทิตย์ได้มากที่สุด ปกติขั้วไฟฟ้าโปร่งใสที่นิยมใช้กันทำด้วยฟิล์มบางของ ITO เคลือบบนแผ่นแก้ว สมบัติที่ดีของฟิล์ม ITO มีทั้งความต้านทานต่ำ (resistivity  2 x 10-4 Ω-cm ) และแสงส่องผ่านได้ดี (T > 85%) แต่ฟิล์ม ITO ต้องเคลือบที่อุณหภูมิสูงกว่า 300C ทำให้แผ่นรองรับที่ใช้ถูกจำกัดอยู่ที่แก้ว อย่างไรก็ตามงานวิจัย DSSC ที่มีแนวโน้มว่าจะใช้พลาสติกเป็นแผ่นรองรับมากขึ้น ทำให้เกิดความสนใจพัฒนาฟิลม์ ITO ที่เคลือบที่อุณหภูมิต่ำหรือใช้กับแผ่นรองรับที่เป็นพลาสติกได้ ในงานวิจัยนี้เราจึงทำการพัฒนาการเคลือบฟิล์ม ITO ด้วยวิธี Ion Assisted Deposition (IAD) เพื่อให้สามารถเคลือบฟิล์ม ITO ที่อุณหภูมิห้องบนแผ่นรองรับที่เป็นพลาสติกได้ โดยให้ฟิล์มมีความต้านทางต่ำและอัตราการส่องผ่านสูง สำหรับการประยุกต์ใช้ใน DSSC ได้ IAD เป็นวิธีการเคลือบฟิล์มด้วยการระเหยสารในสุญญากาศ ขณะที่สารเคลือบถูกทำให้ร้อนด้วย e-beam evaporator พลาสมาของอาร์กอนและออกซิเจนจะยิงไปบนฟิล์มที่กำลังเคลือบบนแผ่นรองรับ ดังนั้นพลังงานจลล์ของอณุภาคที่กำลังก่อตัวเป็นฟิล์มก็จะสูงขึ้นโดยไม่ต้องใช้ความร้อน