ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Diffusivity-mobility ratio for heavily doped semiconductors

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Diffusivity-mobility ratio for heavily doped semiconductors
นักวิจัย : Jessada Sukpitak
คำค้น : Diffusivity-mobility ratio , Semiconductor doping , Semiconductors -- Diffusion
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : Wichit Sritrakool , Chulalongkorn University. Graduate School
ปีพิมพ์ : 2539
อ้างอิง : 9746364448 , http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/12160
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Thesis (M.Sc.)--Chulalongkorn University, 1996

For heavily doped semiconductors, the diffusivity-mobility ratio is shown to be dependent on the Thomas-Fermi screening length squared. Within the Thomas-Fermi approximation and by means of the Sommerfeld expansion, we show that the diffusivity-mobility ratio at finite temperatures can be expressed as a series expansion of some function of the density of states. Furthermore, we show that the diffusivity-mobility ratio, in extremely degenerate case, is the same from the empirical result. We present numerical calculations of the diffusivity-mobility ratio as a function of net carrier concerntration, by taking n-type heavity doped GaAs and using Kane's density of states as an example.

บรรณานุกรม :
Jessada Sukpitak . (2539). Diffusivity-mobility ratio for heavily doped semiconductors.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
Jessada Sukpitak . 2539. "Diffusivity-mobility ratio for heavily doped semiconductors".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
Jessada Sukpitak . "Diffusivity-mobility ratio for heavily doped semiconductors."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2539. Print.
Jessada Sukpitak . Diffusivity-mobility ratio for heavily doped semiconductors. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2539.