งานวิจัยนี้ได้พัฒนาระบบการเตรียมฟิล์มบางของเพชรจนสามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิ ภาพ คือ เตรียมได้ทั้งวิธี HF-CVD และ AC-CVD หรือเป็นวิธี Hybrid คือทำทั้งสองวิธีพร้อมๆ กัน เป็นระบบที่สามารถตรวจวัด partial pressure ของแก๊สผสม เช่น CH4, H2, และ O2 อีกทั้งเปลี่ยน สารตัวอย่างอันใหม่ได้โดยไม่ต้องหยุดเดินเครื่องทำสูญญากาศ เพราะมี load-lock system นอก จากนี้ยังสามารถวัดอุณหภูมิของ hot filament, substrate ได้จากภายนอกด้วย optical pyrometer ทำให้มีโอกาสเปลี่ยน ตัวแปรต่างๆ ได้กว้างขึ้นทั้งอุณหภูมิ, ความดัน, อัตราการไหลของแก๊ส, ส่วน ผสมของแก๊ส ทำให้การเตรียมฟิล์มบางของเพชรมีโอกาสทำซ้ำ (reproducible) ได้ในอนาคต และ ได้ทดสอบระบบการเตรียมฟิล์มบางของเพชรโดยใช้สารตัวอย่างจำนวน 31 ตัวอย่าง พบว่าการเกิด ฟิล์มบางของเพชรบนแผ่นเพชรโดยวิธีอิพิแทกซีสภาวะไอ (vapour phase epitaxy : VPE) ขึ้นกับ ปริมาณชั้นออกไซด์ที่เหลืออยู่ และวิธีการกำจัดชั้นออกไซด์ แต่เนื่องจากจำนวนตัวอย่างที่ใช้ยัง น้อยจึงยังไม่พบเงื่อนไขที่เหมาะสมสำหรับการเกิดอีพิแทกซีอย่างสมบูรณ์ จะต้องใช้สารตัวอย่าง มากกว่านี้เพื่อเปลี่ยนตัวแปรให้ถี่ลงเรื่อยๆ จนพบเงื่อนไขที่เหมาะสมสำหรับการเกิดอีพิแทกซีอย่าง สมบูรณ์ In this study a system for the efficient production of diamond thin film was produced. Films could be produced both by Hot Filament Chemical Vapour Deposition (HF- CVD) and Alternating Current Assisted Chemical Vapour Deposition (AC-CVD), or by a hybrid of two methods at the same time. It is a system which can measure the partial pressure of mixed gases, such as methane, hydrogen and oxygen. The sample can be also be changed without losing the vacuum because it is incorporates a load-lock system. Apart from this, the temperature of the hot-filament and the substrate can be measured externally using and optical pyrometer. This allows greater possible variation of parameters- temperature, pressure, ratio of gas flows and constitution of gas mixture. This will allow the production of thin films of diamond repeatably in the future and 31 samples of diamond thin film have been prepared throughout the project. It has been found that the production of diamond thin film on diamond substrate by Vapour Phase Epitaxy (VPE) depends on the amount of oxide lager and the method of removing the oxide layer. However, since the number of samples is small, the optimal parameters for perfect epitaxy have not yet been found. More samples need to be prepared in order to more finely tune the parameters which are involved to find the optimum set of parameters.