| ชื่อเรื่อง | : | Lutetium oxide gate dielectric fabricated by pulsed laser deposition. |
| นักวิจัย | : | Peter Darmawan. |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2553 |
| อ้างอิง | : | Peter Darmawan. (2010). Lutetium oxide gate dielectric fabricated by pulsed laser deposition. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/47288 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The aim of this project is to investigate the suitability of rare-earth oxide as gate dielectric, in particular LU2O3. There are three main chapters, in which the properties of LU2O3 film, the effect of post-deposition treatments on LU2O3 film as well as the properties of Lu203 on the next generation of semiconductor substrate are discussed in detail. 152 p. |
| บรรณานุกรม | : |
Peter Darmawan. . (2553). Lutetium oxide gate dielectric fabricated by pulsed laser deposition..
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Peter Darmawan. . 2553. "Lutetium oxide gate dielectric fabricated by pulsed laser deposition.".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Peter Darmawan. . "Lutetium oxide gate dielectric fabricated by pulsed laser deposition.."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2553. Print. Peter Darmawan. . Lutetium oxide gate dielectric fabricated by pulsed laser deposition.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2553.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
