| ชื่อเรื่อง | : | Strain relaxation in SiGe/Si heteroepitaxy. |
| นักวิจัย | : | Wong, Lydia Helena. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials::Photonics and optoelectronics materials. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2550 |
| อ้างอิง | : | Wong, L. H. (2007). Strain relaxation in SiGe/Si heteroepitaxy. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/35953 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Heteroepitaxy of lattice-mismatched materials are important for both optoelectronic and microelectronic applications. Within the community of research in heteroepitaxy, the long-standing goal is to obtain strain relaxation while minimizing the generation of defects which often leads to device degradation. 163 p. |
| บรรณานุกรม | : |
Wong, Lydia Helena. . (2550). Strain relaxation in SiGe/Si heteroepitaxy..
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Wong, Lydia Helena. . 2550. "Strain relaxation in SiGe/Si heteroepitaxy.".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Wong, Lydia Helena. . "Strain relaxation in SiGe/Si heteroepitaxy.."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print. Wong, Lydia Helena. . Strain relaxation in SiGe/Si heteroepitaxy.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
