| ชื่อเรื่อง | : | Development of metal silicides for deep submicron polycrystalline silicon gate |
| นักวิจัย | : | Pang, Chong Hau |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials::Nanoelectronics and interconnects |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2548 |
| อ้างอิง | : | Pang, C. H. (2005). Development of metal silicides for deep submicron polycrystalline silicon gate. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/5099 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Metal silicides are used to reduce the polycrystalline silicon (polysilicon) gate and contact resistances during fabrication of transistors in microelectronics devices. Generally, Titanium disilicides and Cobalt disilicides are widely utilized on transistors while Nickel monosilicides (NiSi) are still under intense investigation for future transistor technology. However, reactions between parent metals (Ti, Co and Ni) and silicon often present many different problems during silicides formation. |
| บรรณานุกรม | : |
Pang, Chong Hau . (2548). Development of metal silicides for deep submicron polycrystalline silicon gate.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Pang, Chong Hau . 2548. "Development of metal silicides for deep submicron polycrystalline silicon gate".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Pang, Chong Hau . "Development of metal silicides for deep submicron polycrystalline silicon gate."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2548. Print. Pang, Chong Hau . Development of metal silicides for deep submicron polycrystalline silicon gate. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2548.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
