| ชื่อเรื่อง | : | Fabrication and charaterization of InP-Based high election mobility transistors. |
| นักวิจัย | : | Liu, Yuwei. |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2552 |
| อ้างอิง | : | Liu, Y. (2009). Fabrication and charaterization of InP-Based high election mobility transistors. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/46750 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | InP-based high electron mobility transistor (HEMT) is an important device in high frequency and low noise applications. In current work, studies on InP-based InGaAs single channel HEMT and InGaAs/InP composite channel HEMT were carried out. Some important issues such as the thermal stability of InGaAs/InP composite channel HEMT, surface passivation effect on InGaAs/InP composite channel HEMT, high-frequency noise of InP HEMT, and suppress of thermal noise in InGaAs/InP composite channel HEMT were investigated. They are summarized as following: 143 p. |
| บรรณานุกรม | : |
Liu, Yuwei. . (2552). Fabrication and charaterization of InP-Based high election mobility transistors..
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Liu, Yuwei. . 2552. "Fabrication and charaterization of InP-Based high election mobility transistors.".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Liu, Yuwei. . "Fabrication and charaterization of InP-Based high election mobility transistors.."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2552. Print. Liu, Yuwei. . Fabrication and charaterization of InP-Based high election mobility transistors.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2552.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
