ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system.
นักวิจัย : Lim, Yeow Kheng.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic systems.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : Lim, Y. K. (2008). Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/4121
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This research focuses on the stress-induced voiding in Cu interconnects. The different types, and the process and geometrical dependency of stress-induced voiding are studied. In addition, in-depth understanding of stress-induced voiding mechanisms and process; approaches to improve stress migration reliability and, the extendibility and impacts of the approaches to future technologies, are discussed.

บรรณานุกรม :
Lim, Yeow Kheng. . (2551). Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lim, Yeow Kheng. . 2551. "Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lim, Yeow Kheng. . "Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2551. Print.
Lim, Yeow Kheng. . Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2551.