| ชื่อเรื่อง | : | Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system. |
| นักวิจัย | : | Lim, Yeow Kheng. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic systems. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2551 |
| อ้างอิง | : | Lim, Y. K. (2008). Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system. Doctoral thesis, Nanyang Technological University, Singapore. , http://hdl.handle.net/10356/4121 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | This research focuses on the stress-induced voiding in Cu interconnects. The different types, and the process and geometrical dependency of stress-induced voiding are studied. In addition, in-depth understanding of stress-induced voiding mechanisms and process; approaches to improve stress migration reliability and, the extendibility and impacts of the approaches to future technologies, are discussed. |
| บรรณานุกรม | : |
Lim, Yeow Kheng. . (2551). Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system..
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lim, Yeow Kheng. . 2551. "Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system.".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lim, Yeow Kheng. . "Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system.."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2551. Print. Lim, Yeow Kheng. . Stress migration study of Cu/Low-k interconnect system.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2551.
|
