Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer
นักวิจัย	:	Yin, Zongyou , Zeng, Zhiyuan , Liu, Juqing , He, Qiyuan , Chen, Peng , Zhang, Hua
คำค้น	:	DRNTU::Engineering::Materials.
หน่วยงาน	:	Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2556
อ้างอิง	:	Yin, Z., Zeng, Z., Liu, J., He, Q., Chen, P., & Zhang, H. (2013). Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer. Small, 9(5), 727-731. , 1613-6810 , http://hdl.handle.net/10220/19030 , http://dx.doi.org/10.1002/smll.201201940
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	Small
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	A mixed film consisting of 2D MoS2 and graphene oxide (GO) nanosheets is used to fabricate memory devices. The conductive MoS2 component in the MoS2-GO film increases the film conductivity, thus facilitating oxygen migration in GO. The MoS2-GO film-based device exhibits rewritable, nonvolatile, electrical bistable switching with low switching voltage (≤1.5 V) and high ON/OFF current ratio (≈102).
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver Yin, Zongyou , Zeng, Zhiyuan , Liu, Juqing , He, Qiyuan , Chen, Peng , Zhang, Hua . (2556). Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yin, Zongyou , Zeng, Zhiyuan , Liu, Juqing , He, Qiyuan , Chen, Peng , Zhang, Hua . 2556. "Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer". กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yin, Zongyou , Zeng, Zhiyuan , Liu, Juqing , He, Qiyuan , Chen, Peng , Zhang, Hua . "Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer." กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print. Yin, Zongyou , Zeng, Zhiyuan , Liu, Juqing , He, Qiyuan , Chen, Peng , Zhang, Hua . Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.