| ชื่อเรื่อง | : | Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies |
| นักวิจัย | : | Xu, Xiao-Yong , Yin, Zong-You , Xu, Chun-Xiang , Dai, Jun , Hu, Jing-Guo |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2557 |
| อ้างอิง | : | Xu, X.-Y., Yin, Z.-Y., Xu, C.-X., Dai, J., & Hu, J. G. (2014). Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies. Applied Physics Letters, 104(3), 033504-. , http://hdl.handle.net/10220/18993 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4862755 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A resistive switching memory device consisting of reduced graphene oxide and indium tin oxide as top/bottom two electrodes, separated by dielectric MoS2 nanosphere assemblies as the active interlayer, was fabricated. This device exhibits the rewritable nonvolatile resistive switching with low SET/RESET voltage (∼2 V), high ON/OFF resistance ratio (∼104), and superior electrical bistability, introducing a potential application in data storage field. The resistance switching mechanism was analyzed in the assumptive model of the electron tunneling across the polarized potential barriers. |
| บรรณานุกรม | : |
Xu, Xiao-Yong , Yin, Zong-You , Xu, Chun-Xiang , Dai, Jun , Hu, Jing-Guo . (2557). Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Xu, Xiao-Yong , Yin, Zong-You , Xu, Chun-Xiang , Dai, Jun , Hu, Jing-Guo . 2557. "Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Xu, Xiao-Yong , Yin, Zong-You , Xu, Chun-Xiang , Dai, Jun , Hu, Jing-Guo . "Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2557. Print. Xu, Xiao-Yong , Yin, Zong-You , Xu, Chun-Xiang , Dai, Jun , Hu, Jing-Guo . Resistive switching memories in MoS2 nanosphere assemblies. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2557.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
