| ชื่อเรื่อง | : | Homogeneous chip to wafer bonding of InP-Al2O3-Si using UV/O3 activation. |
| นักวิจัย | : | Anantha, P. , Tan, C. S. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2557 |
| อ้างอิง | : | Anantha, P., & Tan, C. S. (2014). Homogeneous Chip to Wafer Bonding of InP-Al2O3-Si Using UV/O3 Activation. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 3(4), P43-P47. , http://hdl.handle.net/10220/18857 , http://dx.doi.org/10.1149/2.003404jss |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | ECS journal of solid state science and technology |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A direct chip to wafer bonding of indium phosphide (InP) onto silicon using Al2O3 as the intermediate homogenous bonding layer is reported. Intermediate film thickness is varied from 5 to 20 nm and the UV/O3 activation time is optimized to result in minimal surface roughness and contact angle required for effective direct wafer bonding. TEM characterization of the interface reveals a homogeneously fused Al2O3 layer. In addition Al2O3 is shown to best emulate the thermal characteristics of direct InP/Si bonding as compared to using SiO2 as the interfacial bonding layer. Therefore Al2O3 is recognized be a highly competent interfacial layer for chip to wafer bonding for integrated photonic application. |
| บรรณานุกรม | : |
Anantha, P. , Tan, C. S. . (2557). Homogeneous chip to wafer bonding of InP-Al2O3-Si using UV/O3 activation..
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Anantha, P. , Tan, C. S. . 2557. "Homogeneous chip to wafer bonding of InP-Al2O3-Si using UV/O3 activation.".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Anantha, P. , Tan, C. S. . "Homogeneous chip to wafer bonding of InP-Al2O3-Si using UV/O3 activation.."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2557. Print. Anantha, P. , Tan, C. S. . Homogeneous chip to wafer bonding of InP-Al2O3-Si using UV/O3 activation.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2557.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
