| ชื่อเรื่อง | : | Controlled electroluminescence of n-ZnMgO/p-GaN light-emitting diodes |
| นักวิจัย | : | Goh, Eunice S. M. , Yang, H. Y. , Han, Z. J. , Chen, Tupei , Ostrikov, K. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials::Thin films |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Goh, E. S. M., Yang, H. Y., Han, Z. J., Chen, T., & Ostrikov, K. (2012). Controlled electroluminescence of n-ZnMgO/p-GaN light-emitting diodes. Applied physics letters, 101(26), 263506-. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/18580 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4773367 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Effective control of room-temperature electroluminescence of n-ZnMgO/p-GaN light-emitting diodes(LEDs) over both emission intensity and wavelength is demonstrated. With varied Mg concentration, the intensity of LEDs in the near-ultraviolet region is increased due to the effective radiative recombination in the ZnMgO layer. Furthermore, the emission wavelength is shifted to the green/yellow spectral region by employing an indium-tin-oxide thin film as the dopant source, where thermally activated indium diffusion creates extra deep defect levels for carrier recombination. These results clearly demonstrate the effectiveness of controlled metal incorporation in achieving high energy efficiency and spectral tunability of the n-ZnMgO/p-GaN LED devices. |
| บรรณานุกรม | : |
Goh, Eunice S. M. , Yang, H. Y. , Han, Z. J. , Chen, Tupei , Ostrikov, K. . (2555). Controlled electroluminescence of n-ZnMgO/p-GaN light-emitting diodes.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Goh, Eunice S. M. , Yang, H. Y. , Han, Z. J. , Chen, Tupei , Ostrikov, K. . 2555. "Controlled electroluminescence of n-ZnMgO/p-GaN light-emitting diodes".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Goh, Eunice S. M. , Yang, H. Y. , Han, Z. J. , Chen, Tupei , Ostrikov, K. . "Controlled electroluminescence of n-ZnMgO/p-GaN light-emitting diodes."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Goh, Eunice S. M. , Yang, H. Y. , Han, Z. J. , Chen, Tupei , Ostrikov, K. . Controlled electroluminescence of n-ZnMgO/p-GaN light-emitting diodes. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
