| ชื่อเรื่อง | : | Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells |
| นักวิจัย | : | Liu, W. , Zhang, Dao Hua , Huang, Z. M. , Wang, S. Z. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Liu, C. J. , Wee, A. T. S. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2550 |
| อ้างอิง | : | Liu, W., Zhang, D. H., Huang, Z. M., Wang, S. Z., Yoon, S. F., Fan, W., Liu, C. J., & Wee, A. T. S. (2007). Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells. Journal of applied physics, 101, 103111. , 0021-8979 , http://hdl.handle.net/10220/18165 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2736943 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Journal of applied physics |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Interdiffusion in In0.32Ga0.68As0.984N0.016 /GaAs multiple quantum wells with well widths of 2 and 4 nm, respectively, was investigated both experimentally and theoretically. Maximum blueshifts of 206 and 264 meV in the photoluminescence spectra were observed. Secondary ion mass spectrometry showed that both In–Ga and N–As interdiffusions played key roles for the large blueshifts. The significant In–Ga interdiffusion occurred at 650 °C while the N diffusion occurred at a temperature above 700 °C. The theoretical results are in good agreement with the experimental observations. |
| บรรณานุกรม | : |
Liu, W. , Zhang, Dao Hua , Huang, Z. M. , Wang, S. Z. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Liu, C. J. , Wee, A. T. S. . (2550). Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Liu, W. , Zhang, Dao Hua , Huang, Z. M. , Wang, S. Z. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Liu, C. J. , Wee, A. T. S. . 2550. "Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Liu, W. , Zhang, Dao Hua , Huang, Z. M. , Wang, S. Z. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Liu, C. J. , Wee, A. T. S. . "Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print. Liu, W. , Zhang, Dao Hua , Huang, Z. M. , Wang, S. Z. , Yoon, Soon Fatt , Fan, Weijun , Liu, C. J. , Wee, A. T. S. . Interdiffusion in narrow InGaAsN∕GaAs quantum wells. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
