| ชื่อเรื่อง | : | Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsN∕GaAs quantum wells |
| นักวิจัย | : | Zhang, Dao Hua , Liu, W. , Sun, L. , Fan, Weijun , Yoon, Soon Fatt , Wang, S. Z. , Liu, H. C. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2549 |
| อ้างอิง | : | Zhang, D. H., Liu, W., Sun, L., Fan, W., Yoon, S. F., Wang, S. Z.,& Liu, H. C. (2006). Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsN∕GaAs quantum wells. Journal of applied physics, 99, 043514. , 0021-8979 , http://hdl.handle.net/10220/18187 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2172719 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Journal of applied physics |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | We report observation of transverse electric TE dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsN/GaAs multiple-quantum-well structures. The TE dominant absorption is believed to be caused by the incorporation of nitrogen and the associated nitrogen state. When the confinement is strong in narrow quantum wells, the ground state is pushed up, which enhances the interaction with nitrogen state and significantly changes the nature of the state. |
| บรรณานุกรม | : |
Zhang, Dao Hua , Liu, W. , Sun, L. , Fan, Weijun , Yoon, Soon Fatt , Wang, S. Z. , Liu, H. C. . (2549). Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsN∕GaAs quantum wells.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zhang, Dao Hua , Liu, W. , Sun, L. , Fan, Weijun , Yoon, Soon Fatt , Wang, S. Z. , Liu, H. C. . 2549. "Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsN∕GaAs quantum wells".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zhang, Dao Hua , Liu, W. , Sun, L. , Fan, Weijun , Yoon, Soon Fatt , Wang, S. Z. , Liu, H. C. . "Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsN∕GaAs quantum wells."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print. Zhang, Dao Hua , Liu, W. , Sun, L. , Fan, Weijun , Yoon, Soon Fatt , Wang, S. Z. , Liu, H. C. . Transverse electric dominant intersubband absorption in Si-doped GaInAsN∕GaAs quantum wells. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
