| ชื่อเรื่อง | : | Characteristics of InGaAs quantum dot infrared photodetectors |
| นักวิจัย | : | Xu, S. J. , Chua, S. J. , Mei, T. , Wang, X. C. , Zhang, X. H. , Karunasiri, G. , Fan, Weijun , Wang, C. H. , Jiang, J. , Wang, S. , Xie, X. G. |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2541 |
| อ้างอิง | : | Xu, S. J., Chua, S. J., Mei, T., Wang, X. C., Zhang, X. H., Karunasiri, G., Fan, W., Wang, C. H., Jiang, J., Wang, S., & Xie, X. G. (1998). Characteristics of InGaAs quantum dot infrared photodetectors. Applied Physics Letters, 73(21), 3153. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/17871 , http://dx.doi.org/10.1063/1.122703 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A quantum dot infrared photodetector(QDIP) consisting of self-assembled InGaAs quantum dots has been demonstrated. Responsivity of 3.25 mA/W at 9.2 μm was obtained for nonpolarized incident light on the detector with a 45° angle facet at 60 K. The QDIPs exhibit some unique electro-opticcharacteristics such as a strong negative differential photoconductance effect and blueshift of the response peak wavelength. |
| บรรณานุกรม | : |
Xu, S. J. , Chua, S. J. , Mei, T. , Wang, X. C. , Zhang, X. H. , Karunasiri, G. , Fan, Weijun , Wang, C. H. , Jiang, J. , Wang, S. , Xie, X. G. . (2541). Characteristics of InGaAs quantum dot infrared photodetectors.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Xu, S. J. , Chua, S. J. , Mei, T. , Wang, X. C. , Zhang, X. H. , Karunasiri, G. , Fan, Weijun , Wang, C. H. , Jiang, J. , Wang, S. , Xie, X. G. . 2541. "Characteristics of InGaAs quantum dot infrared photodetectors".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Xu, S. J. , Chua, S. J. , Mei, T. , Wang, X. C. , Zhang, X. H. , Karunasiri, G. , Fan, Weijun , Wang, C. H. , Jiang, J. , Wang, S. , Xie, X. G. . "Characteristics of InGaAs quantum dot infrared photodetectors."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2541. Print. Xu, S. J. , Chua, S. J. , Mei, T. , Wang, X. C. , Zhang, X. H. , Karunasiri, G. , Fan, Weijun , Wang, C. H. , Jiang, J. , Wang, S. , Xie, X. G. . Characteristics of InGaAs quantum dot infrared photodetectors. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2541.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
