| ชื่อเรื่อง | : | A 12-GHz high output power amplifier using 0.18µm SiGe BiCMOS for low power applications |
| นักวิจัย | : | Kumar, Thangarasu Bharatha , Ma, Kaixue , Yeo, Kiat Seng , Lim, Wei Meng |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Kumar, T. B., Ma, K., Yeo, K. S., & Lim, W. M. (2012). A 12-GHz high output power amplifier using 0.18µm SiGe BiCMOS for low power applications. 2012 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS), pp.180-183. , http://hdl.handle.net/10220/16332 , http://dx.doi.org/10.1109/APCCAS.2012.6419001 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | This paper presents a fixed gain high output power amplifier with performance determined by using on-wafer measurement. The amplifier is fully differential based on inductive load and resistive degeneration which is designed using a 0.18 μm SiGe BiCMOS process. The amplifier achieves power gain of 7.2 dB, 3-dB bandwidth of 2.06 GHz, operating frequency of 12 GHz, power consumption of 12 mW using 1.8 V supply voltage and the input referred 1-dB gain compression point of -1.6 dBm. The designed amplifier occupies a die area of 380 μm × 340 μm. |
| บรรณานุกรม | : |
Kumar, Thangarasu Bharatha , Ma, Kaixue , Yeo, Kiat Seng , Lim, Wei Meng . (2555). A 12-GHz high output power amplifier using 0.18µm SiGe BiCMOS for low power applications.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Kumar, Thangarasu Bharatha , Ma, Kaixue , Yeo, Kiat Seng , Lim, Wei Meng . 2555. "A 12-GHz high output power amplifier using 0.18µm SiGe BiCMOS for low power applications".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Kumar, Thangarasu Bharatha , Ma, Kaixue , Yeo, Kiat Seng , Lim, Wei Meng . "A 12-GHz high output power amplifier using 0.18µm SiGe BiCMOS for low power applications."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Kumar, Thangarasu Bharatha , Ma, Kaixue , Yeo, Kiat Seng , Lim, Wei Meng . A 12-GHz high output power amplifier using 0.18µm SiGe BiCMOS for low power applications. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
