| ชื่อเรื่อง | : | Unified regional modeling of GaN HEMTs with the 2DEG and DD formalism |
| นักวิจัย | : | Zhou, Xing , Zhang, Junbin , Syamal, Binit , Chiah, Siau Ben , Zhou, Hongtao , Yuan, Li |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Zhou, X., Zhang, J., Syamal, B., Chiah, S. B., Zhou, H., & Yuan, L. (2012). Unified regional modeling of GaN HEMTs with the 2DEG and DD formalism. 2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), pp.1-4. , http://hdl.handle.net/10220/16311 , http://dx.doi.org/10.1109/ICSICT.2012.6467682 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | This paper presents the unified regional modeling (URM) approach to developing a compact model (CM) for GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) based on the two-dimensional electron gas (2DEG) and drift-diffusion (DD) formalism. It is shown that through the URM of the 2DEG based on triangular well approximation and surface-potential based DD transport, a CM for generic metal-insulator-semiconductor (MIS) HEMTs can be developed, which is scalable over device physical and structural parameters. |
| บรรณานุกรม | : |
Zhou, Xing , Zhang, Junbin , Syamal, Binit , Chiah, Siau Ben , Zhou, Hongtao , Yuan, Li . (2555). Unified regional modeling of GaN HEMTs with the 2DEG and DD formalism.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zhou, Xing , Zhang, Junbin , Syamal, Binit , Chiah, Siau Ben , Zhou, Hongtao , Yuan, Li . 2555. "Unified regional modeling of GaN HEMTs with the 2DEG and DD formalism".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Zhou, Xing , Zhang, Junbin , Syamal, Binit , Chiah, Siau Ben , Zhou, Hongtao , Yuan, Li . "Unified regional modeling of GaN HEMTs with the 2DEG and DD formalism."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Zhou, Xing , Zhang, Junbin , Syamal, Binit , Chiah, Siau Ben , Zhou, Hongtao , Yuan, Li . Unified regional modeling of GaN HEMTs with the 2DEG and DD formalism. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
