| ชื่อเรื่อง | : | A self-rectifying and forming-free HfOx based-high performance unipolar RRAM |
| นักวิจัย | : | Yu, Hongyu , Tran, Xuan Anh |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Yu, H., & Tran, X. A. (2012). A self-rectifying and forming-free HfOx based-high performance unipolar RRAM. 2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). , http://hdl.handle.net/10220/16274 , http://dx.doi.org/10.1109/ICSICT.2012.6467660 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | We report a forming-free and self-rectifying unipolar HfOx based RRAM with high performance. Highlight of the demonstrated RRAM include 1) Fab-available materials and CMOS process, 2) excellent self-rectifying behavior in LRS (>103@ 1 V), 3) forming-free unipolar resistive switching, 4) wide read-out margin for high density cross-point memory devices. |
| บรรณานุกรม | : |
Yu, Hongyu , Tran, Xuan Anh . (2555). A self-rectifying and forming-free HfOx based-high performance unipolar RRAM.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yu, Hongyu , Tran, Xuan Anh . 2555. "A self-rectifying and forming-free HfOx based-high performance unipolar RRAM".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yu, Hongyu , Tran, Xuan Anh . "A self-rectifying and forming-free HfOx based-high performance unipolar RRAM."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Yu, Hongyu , Tran, Xuan Anh . A self-rectifying and forming-free HfOx based-high performance unipolar RRAM. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
