| ชื่อเรื่อง | : | MOSFET drain current noise modeling with effective gate overdrive and junction noise |
| นักวิจัย | : | Chan, L. H. K. , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | http://hdl.handle.net/10220/11347 , http://dx.doi.org/10.1109/LED.2012.2203781 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | IEEE electron device letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | In this letter, a drain current noise model that includes the channel thermal noise and the shot noise generated at the source-bulk junction and the drain-bulk junction is presented. A unified analytical expression is derived to ensure excellent continuity with smooth transition of drain current noise from weak- to strong-inversion regimes, including the moderate-inversion region. Excellent agreement between simulated and extracted noise data has shown that the proposed model is accurate over different dimensions and operating conditions. |
| บรรณานุกรม | : |
Chan, L. H. K. , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh . (2555). MOSFET drain current noise modeling with effective gate overdrive and junction noise.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Chan, L. H. K. , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh . 2555. "MOSFET drain current noise modeling with effective gate overdrive and junction noise".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Chan, L. H. K. , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh . "MOSFET drain current noise modeling with effective gate overdrive and junction noise."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Chan, L. H. K. , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh . MOSFET drain current noise modeling with effective gate overdrive and junction noise. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
