| ชื่อเรื่อง | : | A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode |
| นักวิจัย | : | Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | http://hdl.handle.net/10220/11349 , http://dx.doi.org/10.1109/LED.2011.2181971 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | IEEE electron device letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | In this letter, a unipolar resistive switching random access memory (RAM) based on NiSi/HfOx/TiN structure is demonstrated, which is compatible with NiSi S/D in advance CMOS technology process. Highlights of the demonstrated resistive RAM include the following: 1) CMOS-technology-friendly materials and process; 2) excellent self-rectifying behavior in low-resistance state (>; 103 at 1 V); 3) well-behaved memory performance, such as high on/off resistance ratio (>; 102) and good retention characteristics (>;105 s at 125 °C ); and 4) wide readout margin for high-density cross-point memory devices (number of word lines 106 for the worst case condition). |
| บรรณานุกรม | : |
Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu . (2555). A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu . 2555. "A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu . "A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu . A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
